新型高速转换器工作频率高达1MHz-【新闻】
<P><FONT size=2> 该新型高速转换器(SiC714CD10 及 SiC711CD10)将控制 MOSFET、同步 MOSFET 及驱动电路整合到了一个超薄的高性能 PowerPAK MLF 10x10 封装中。简化了单相及多相直流到直流设计流程,并且提供了比分立解决方案高 3% 的效率。</FONT></P>
<P><FONT size=2> <BR><BR> 它们主要面向服务器、路由器、负载点 (POL) 转换器以及 3.3V、5V 及 12V 中间总线架构环境,这两款新型器件不仅节省了板面空间及能耗,而且在较小的占位面积上实现了更高的额定功率。MOSFET 与驱动器的整合有助于将可在开关节点产生振铃及峰值的寄生漏感降至最低。<BR></FONT></P>
<P><BR><FONT size=2> SiC714CD10 及 SiC711CD10 可与任何 PWM IC 或 ASIC 配合使用,以生产出高效的降压转换器。低端 MOSFET 控制引脚可实现预先偏压的启动,从而防止来自预充电输出电容的不良吸收电流导致故障,在 POL 及服务器应用中尤为如此。 额定输入电压介于 3.3V~16V 的新型 SiC714CD10 可在静止空气中提供 27A 的持续输出电流,并且专为实现 10% 的占空比而进行了优化。其低端 MOSFET 的典型导通电阻值为 3mΩ,高端 MOSFET 的导通电阻值为 10.2mΩ。 SiC711CD10 的额定输入电压介于 3.3V~16V,占空比为 40%,该器件可提供高达 25A 的持续输出电流。其高端与低端 MOSFET 的典型导通电阻值均为 4mΩ。 这两款器件均针对 12V 到逻辑电平转换进行了优化,并且额定开关频率范围介于 100kHz~1MHz 以上。它们的 PowerPAK MLF 10x10 封装具有较低的热阻,而且该封装的简单衬垫几何结构可实现直接的板布局及装配。</FONT></P>
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